阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管
基本信息
| 申请号 | CN201510725968.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105280722A | 公开（公告）日 | 2016-01-27 |
| 申请公布号 | CN105280722A | 申请公布日 | 2016-01-27 |
| 分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韦文生 | 申请（专利权）人 | 扬州恒爱电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人 | 陈加利 |
| 地址 | 325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管，其结构为：阳极欧姆电极/P+型纳米硅层/N-型晶体硅衬底/N+型纳米硅层/阴极欧姆电极，N-型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结，该阴极异质结内嵌入设置P+型纳米碳化硅。在阴极结的基区一侧嵌入P+型半导体，抑制了反向浪涌电流，可避免二极管发生具有破坏性的双重正反馈动态雪崩效应引起电流丝而损坏器件。 |
