OTP存储器件及其制作方法、电子装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

OTP存储器件及其制作方法、电子装置

基本信息

申请号	CN201810404701.X	申请日	-
公开（公告）号	CN110416214B	公开（公告）日	2021-07-20
申请公布号	CN110416214B	申请公布日	2021-07-20
分类号	H01L27/112	分类	基本电气元件;
发明人	孙晓峰;秦仁刚;盛拓	申请（专利权）人	无锡华润上华科技有限公司
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	汪洋;张建
地址	214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种OTP存储器件及其制作方法、电子装置，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沿第一方向延伸的有源区和隔离结构，在所述有源区上形成有若干存储单元，同一所述有源区上相邻的所述存储单元呈镜像布置；在所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述阻挡层包括沿第二方向延伸的第一覆盖部和沿第一方向延伸的第二覆盖部，所述第一覆盖部覆盖位于同一直线上的所述浮栅以及相邻的所述浮栅之间的所述隔离结构，所述第二覆盖部覆盖所述相邻的所述位线之间的所述隔离结构。根据本发明的OTP存储器件可以避免相邻的位线接触孔桥接互连而引起器件失效的问题，提高了器件的良率和可靠性。该OTP存储器件的制作方法和电子装置具有类似的优点。