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半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010065847.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113140635A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113140635A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 高桦 申请（专利权）人 无锡华润上华科技有限公司
代理机构 北京市磐华律师事务所 代理人 冯永贞
地址 214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：所述半导体器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。本发明所述方案既不会损失器件的导通电阻也不会增加工艺成本或工艺步骤等，使半导体器件的性能提高。