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OTP存储器件及其制作方法、电子装置

基本信息

申请号 CN201810404695.8 申请日 -
公开（公告）号 CN110416213B 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN110416213B 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L27/112;H01L21/8246 分类 基本电气元件;
发明人 孙晓峰;秦仁刚;盛拓 申请（专利权）人 无锡华润上华科技有限公司
代理机构 北京市磐华律师事务所 代理人 汪洋;张建
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种OTP存储器件及其制作方法、电子装置，该OTP存储间包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有第一有源区和第二有源区；在第一有源区上形成有若干存储单元，同一第一有源区上相邻的所述存储单元呈镜像布置，并且具有公共的位线和源线，相邻所述第一有源区上的位于同一直线上的所述位线通过所述第二有源区彼此连接成为公用位线，相邻所述第一有源区上的位于同一直线上的所述源线彼此不连接；在所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述阻挡层覆盖所述浮栅。根据本发明的OTP存储器件可以避免相邻的位线接触孔桥接互连而引起器件失效的问题，提高了器件的良率和可靠性。该OTP存储器件的制作方法和电子装置具有类似的优点。