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半导体工艺的关键尺寸的监测结构及监测方法

基本信息

申请号 CN201810317822.0 申请日 -
公开（公告）号 CN110364447B 公开（公告）日 2021-07-09
申请公布号 CN110364447B 申请公布日 2021-07-09
分类号 H01L21/66 分类 基本电气元件;
发明人 孙晓峰;秦仁刚;盛拓 申请（专利权）人 无锡华润上华科技有限公司
代理机构 北京市磐华律师事务所 代理人 汪洋;冯永贞
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体工艺的关键尺寸的监测结构及监测方法。所述测试结构包括：第一测试件，具有第一宽度、第一长度和第一电学参数；第二测试件，包括至少一个测试条，所述测试条具有第二宽度和第二长度，所述第二测试件具有第二电学参数，其中，第二宽度远小于所述第一宽度、第一长度、第二长度，所述第二宽度的设计尺寸为所述半导体工艺的关键尺寸，根据第一测试件的第一电学参数、第一宽度、第一长度以及所述第二测试件的第二电学参数、第二长度来监测所述第二宽度的实际尺寸，通过将所述第二宽度的实际尺寸与所述第二宽度的设计尺寸相比来判断所述半导体工艺的关键尺寸是否发生变化。通过所述结构和方法绝大部分关键层次的CD都可以监控。