一种半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911395825.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130646A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130646A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何乃龙;张森 | 申请（专利权）人 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 | 代理人 | 高伟 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括:半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一漂移区；所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的一部分覆盖所述第一漂移区的一部分；所述第一漂移区内形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部的半导体衬底中形成有漏区。根据本发明提供的半导体器件及其制作方法，通过在漂移区内形成凹槽，并在凹槽底部的半导体衬底中形成漏区，纵向延长了漂移区的长度，提高了半导体器件的承受电压，同时减小了半导体器件的面积。 |
