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集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN201610793753.1	申请日	-
公开（公告）号	CN107785365B	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN107785365B	申请公布日	2021-08-06
分类号	H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	顾炎;程诗康;张森	申请（专利权）人	无锡华润上华科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	吴平
地址	214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；复合阱区结构，为第二导电类型且设于第一导电类型区内，包括第一阱和位于第一阱内的第二阱，第二阱的离子浓度大于第一阱的离子浓度，复合阱区结构在JFET源极的两侧各形成有一个，且JFET源极横向延伸进入第一阱和第二阱内；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的复合阱区结构上。本发明利用第一阱和第二阱组成的复合阱区形成复合沟道，增强了沟道耗尽能力，加强了夹断电压稳定性。同时可以通过调节复合沟道的距离，精确调节夹断电压大小，满足不同的电路应用场合。