LDMOS器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911418179.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130649A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130649A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李佳豪;金华俊 | 申请（专利权）人 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种LDMOS器件，一种LDMOS器件，包括：基底；漂移区，位于基底内；若干个间隔排布的沟槽，位于漂移区内；若干个金属场板，分别位于各沟槽内；隔离介质层，至少位于金属场板与沟槽内壁之间。间隔排布的沟槽使得金属场板能够有效的深入漂移区内部，从而形成多维度的耗尽效果，同时，由于间隔排布的沟槽之间的漂移区保留了漂移区表面的载流子通道，LDMOS器件的载流子基本是沿着漂移区的表面流动，相较于载流子沿着沟槽的侧壁和沟槽的底壁绕过沟槽，载流子的运动途径更短，能够有效的降低LDMOS器件的导通电阻。 |
