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一种半导体器件及其制备方法、电子装置

基本信息

申请号	CN201911423898.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113130314A	公开（公告）日	2021-07-16
申请公布号	CN113130314A	申请公布日	2021-07-16
分类号	H01L21/306（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	贺腾飞;林军;张建栋;黄仁瑞	申请（专利权）人	无锡华润上华科技有限公司
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	冯永贞
地址	214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有介电层，在所述介电层中形成有相互间隔的插塞，并且所述介电层的顶部露出所述插塞的顶部；执行化学机械研磨步骤，在研磨垫上同时添加研磨液和去离子水，对所述介电层进行研磨，去除部分所述介电层，以露出部分所述插塞并控制所述插塞凸出所述介电层的高度，其中，所述研磨液和所述去离子水的流量比为1:0.03‑1:15，和/或所述研磨液和所述去离子水在所述研磨垫上的落点与所述研磨垫中心的距离为10cm‑12cm。所述方法可以精准控制晶圆表面整体插塞（钨‑插塞）凸出的高度在500埃以内以及其均匀性，进而获得高光洁、无损伤的表面以及稳定可靠的器件。