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横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911418234.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113130632A	公开（公告）日	2021-07-16
申请公布号	CN113130632A	申请公布日	2021-07-16
分类号	H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	赵景川;张志丽;张森	申请（专利权）人	无锡华润上华科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	史治法
地址	214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底内；纵向浮空场板阵列，包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构；纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层，沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内；若干个第一导电类型的注入区域，位于第二导电类型的漂移区内，且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内，使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制，从而提高了器件的稳定性。