MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210563668.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103885122B | 公开（公告）日 | 2019-02-01 |
| 申请公布号 | CN103885122B | 申请公布日 | 2019-02-01 |
| 分类号 | G02B6/26;B81C1/00 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王松 |
| 地址 | 201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法，所述衰减器包括：MEMS阵列光阻挡驱动器芯片、输入光纤阵列、输出光纤阵列；所述输入光纤阵列、输出光纤阵列进行直接光学对准耦合，MEMS阵列光阻挡驱动器芯片中的MEMS光阻挡器阵列设置于输入光纤阵列、输出光纤阵列的间隙中，实现N路通道的光信号功率的独立控制，其中，N≥2。本发明提出的阵列电可调谐光衰减器，具有小体积、低单通道成本、良好一致性、衰减范围大、驱动电压低等优点。 |
