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高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法

基本信息

申请号	CN201210563950.6	申请日	-
公开（公告）号	CN103887331A	公开（公告）日	2019-04-16
申请公布号	CN103887331A	申请公布日	2019-04-16
分类号	H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/28	分类	基本电气元件;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙）
代理机构	上海金盛协力知识产权代理有限公司	代理人	王松
地址	中国香港湾仔告士打道128号祥丰大厦15楼A-B室
法律状态	-

摘要

本发明揭示了一种高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法，所述终端制作于半导体基板之上，半导体基板上分别设置有源区、过渡区和保护区；有源区设有基区与漂移区构成的IGBT元胞的并联结构；过渡区包括漂移区，同时与有源区及保护区相连，位于有源区之外、保护区之内；保护区包括VLD分压保护区及截止环保护区，VLD分压保护区位于保护区内侧，VLD分压保护区环绕过渡区，VLD分压保护区及基区在第一主平面内通过第一电极相连，截止环保护区位于保护区外侧，并独立于VLD分压保护区，截止环保护区环绕包围VLD分压保护区，截止环保护区包括第一导电类型截止环和第二导电类型截止环。本发明高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法可节约芯片成本，提高IGBT产品的竞争力。