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MEMS器件真空封装结构

基本信息

申请号 CN201210553014.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103879950B 公开（公告）日 2016-01-20
申请公布号 CN103879950B 申请公布日 2016-01-20
分类号 B81B7/00;B81C1/00 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 焦继伟;王敏昌;颜培力;秦嵩 申请（专利权）人 上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙）
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 李仪萍
地址 201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种MEMS器件真空封装结构，至少包括基板、结构层及盖板。本发明基板中形成填充有外延材料及绝缘层的通孔，通孔（环形隔离结构）侧壁的绝缘材料实现电学隔离，且由于通孔采用外延生长的硅材料来填充，则其填充物致密性很高，提高器件真空封装结构的可靠性，同时有效解决金属填充物与硅的热膨胀系数差异引起的可靠性降低的问题；本发明为全硅结构，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势；当MEMS器件存在需要电极对应的组件时，则形成与所述组件垂直对应的通孔，且所述通孔中的外延材料作为填充电极，由于所述填充电极是与被封装的MEMS器件垂直对应的电极，从而提高了封装密度，减小了MEMS器件的封装面积。