一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210563935.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103887338B | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN103887338B | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 上海迎翱芯物联网合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王松 |
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1328号3楼307室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域。有源区域设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第一终端区域设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二终端区域设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料。第二电极连接有源区域的第一沟槽，覆盖在有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。 |
