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一种CVD法碳化硅涂层的制备方法

基本信息

申请号	CN201810213134.X	申请日	-
公开（公告）号	CN108359958A	公开（公告）日	2018-08-03
申请公布号	CN108359958A	申请公布日	2018-08-03
分类号	C23C16/32	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	林培英;李啸;黄洪福;朱佰喜	申请（专利权）人	深圳市志橙半导体材料股份有限公司
代理机构	广州市天河庐阳专利事务所（普通合伙）	代理人	胡济元
地址	518054 广东省深圳市南山区南山街道南山大道康乐大厦福海阁10F
法律状态	-

摘要

本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)启动沉积炉的加温箱，使温度达到100‑160℃；(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上，然后带动石墨基体旋转；(3)对沉积炉内抽真空，再充入氩气；如此循环多次；(4)启动炉腔加热系统，对沉积炉内进行加热，同时对沉积炉内进行抽真空，达到沉积温度后，保温一定时间，再充入氩气，使沉积炉内的压力达到40‑60Kpa，再抽真空；(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中，并通入液态氯硅烷，进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内；(6)沉积完，停止输送氢气、氯硅烷以及烷烃，保持氩气的输送，对沉积炉进行冲洗和降温，然后充气，打开炉体，取出带有碳化硅涂层的石墨工件。