一种CVD法碳化硅涂层的制备方法

基本信息

申请号 CN201810213134.X 申请日 -
公开(公告)号 CN108359958A 公开(公告)日 2018-08-03
申请公布号 CN108359958A 申请公布日 2018-08-03
分类号 C23C16/32 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 林培英;李啸;黄洪福;朱佰喜 申请(专利权)人 深圳市志橙半导体材料股份有限公司
代理机构 广州市天河庐阳专利事务所(普通合伙) 代理人 胡济元
地址 518054 广东省深圳市南山区南山街道南山大道康乐大厦福海阁10F
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)启动沉积炉的加温箱,使温度达到100‑160℃;(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上,然后带动石墨基体旋转;(3)对沉积炉内抽真空,再充入氩气;如此循环多次;(4)启动炉腔加热系统,对沉积炉内进行加热,同时对沉积炉内进行抽真空,达到沉积温度后,保温一定时间,再充入氩气,使沉积炉内的压力达到40‑60Kpa,再抽真空;(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中,并通入液态氯硅烷,进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内;(6)沉积完,停止输送氢气、氯硅烷以及烷烃,保持氩气的输送,对沉积炉进行冲洗和降温,然后充气,打开炉体,取出带有碳化硅涂层的石墨工件。