一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备
基本信息
| 申请号 | CN201820348953.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208167093U | 公开（公告）日 | 2018-11-30 |
| 申请公布号 | CN208167093U | 申请公布日 | 2018-11-30 |
| 分类号 | C23C16/32;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 林培英;黄洪福;周玉燕;朱佰喜 | 申请（专利权）人 | 深圳市志橙半导体材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州市天河庐阳专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡济元 |
| 地址 | 518054 广东省深圳市南山区南山街道南山大道康乐大厦福海阁10F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连接在炉体上；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做升降运动的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。该碳化硅沉积处理设备能实现碳化硅薄膜的自动化大批量生产。 |
