一种优化气体流场的石墨基座
基本信息
| 申请号 | CN202020258722.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211629063U | 公开（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申请公布号 | CN211629063U | 申请公布日 | 2020-10-02 |
| 分类号 | H01L21/687(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 黄洪福;朱佰喜 | 申请（专利权）人 | 深圳市志橙半导体材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市添源知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗志伟 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区松岗街道潭头社区健仓科技研发厂区办公楼307 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。 |
