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一种IGBT芯片结构及封装布局

基本信息

申请号	CN202010704515.5	申请日	-
公开（公告）号	CN111933701A	公开（公告）日	2020-11-13
申请公布号	CN111933701A	申请公布日	2020-11-13
分类号	H01L29/739(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	赵海军;谢广峰	申请（专利权）人	北京帕斯特电力集成技术有限公司
代理机构	北京纽乐康知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王珂
地址	101318北京市顺义区空港街道安华大街1号2幢1层340号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种IGBT芯片结构及封装布局，包括：其特征在于，包括MOS场效应晶体管和三极管组成的IGBT单元和与所述IGBT单元电性连接的FRD单元，所述IGBT单元与所述FRD单元集成斩波电路芯片及半桥电路芯片，所述IGBT单元与所述FRD单元集成的斩波电路芯片与所述IGBT单元与所述FRD单元集成的半桥电路芯片通过电容器组集成换流单元，多个所述IGBT单元组合成IGBT模块，所述IGBT模块与电容器组及电池组并联封装。本发明的有益效果：本申请提出集成式斩波或半桥芯片结构，在封装级通过集成电容器组实现换流回路的紧凑化，大幅降低换流阀回路寄生参数，使得组件开关速度较快，同时电压应力较小，在IGBT模块通过与外部分布电容器组、电池组配合，大幅提升其应用可靠性。