凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210233438.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114597137A | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN114597137A | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L23/488 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜滔;肖选科 | 申请（专利权）人 | 甬矽半导体（宁波）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 梁晓婷 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一缓冲层、第一保护层、导电组合层和导电凸块，通过在芯片的一侧依次设置第一缓冲层、第一保护层，并在第一导电开口内设置导电组合层，最后在导电组合层上完成导电凸块的制作，其中，通过在第一缓冲层上设置第一缓冲层，能够有效地对导电组合层进行缓冲，降低焊接脱落概率。同时，通过设置第一凹槽，使得导电组合层延伸至第一凹槽内，从而大幅提升了导电组合层与第一缓冲层之间的结合力，进而提升了导电凸块与芯片之间的结合力你，避免出现导电凸块掉落的问题，保证了结构的可靠性。 |
