炭素材料发热体应用及制备方法
基本信息
申请号 | CN201110003715.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102123527B | 公开(公告)日 | 2012-09-26 |
申请公布号 | CN102123527B | 申请公布日 | 2012-09-26 |
分类号 | H01B1/04(2006.01)I;C30B13/08(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;H05B3/14(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 廖寄乔;邰卫平;李军;王跃军 | 申请(专利权)人 | 交通银行股份有限公司益阳分行 |
代理机构 | 益阳市银城专利事务所 | 代理人 | 舒斌;夏宗福 |
地址 | 413000 湖南省益阳市迎宾西路2号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种表面具有抗氧化涂层的炭素材料发热体它包括由碳/碳复合材料或石墨材料组成的基体(1),其特征是基体(1)的表面设有由原位生长的碳化硅晶须组成的过渡层(2),其制备方法包括⑴备料、⑵催化剂制备、⑶加载催化剂、⑷原位生长碳化硅晶须,本发明在炭素材料基体上原位生长一层碳化硅晶须,利用碳化硅晶须的拔出桥连与裂纹转向机制降低涂层中的裂纹尺寸和数量,有利于大幅度提高碳化硅涂层的抗氧化性能和抗热震性能,而且整个制备过程可以通过化学气相沉积连续完成,大大简化了涂层的制备过程,可在半导体材料区域提纯中作为辅助发热体使用。 |
