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基于量子通信应用的电吸收光发射芯片及其制作方法

基本信息

申请号 CN201911421082.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111129944A 公开（公告）日 2020-05-08
申请公布号 CN111129944A 申请公布日 2020-05-08
分类号 H01S5/026;H04B10/50;H04B10/70 分类 基本电气元件;
发明人 张石宝;刘建宏;冯斯波;刘军 申请（专利权）人 山东国迅量子芯科技有限公司
代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 代理人 山东国迅量子芯科技有限公司
地址 250101 山东省济南市高新区舜风路777号A座2F-201室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了基于量子通信应用的电吸收光发射芯片及其制作方法，包括：在N型衬底上外延生长多量子阱结构；在多量子阱结构表面沉积介质膜后，进行掩膜光刻，腐蚀掉需要再次外延生长区域的多量子阱结构；需要再次外延生长区域为B区域，外延生长B区域的多量子阱结构；采用全息曝光法在A区域制作光栅层；在A、B区域多量子阱结构之间掩膜光刻电隔离沟，溅射激光器的P面电极和调制器P面高频电极，在衬底上，与所述电隔离沟对应的位置上再掩膜光刻电隔离沟，溅射激光器和调制器的N面电极。