一种金属氢化物原位合成硅/碳纳米复合材料的制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202210327883.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114684821A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114684821A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C01B33/023（2006.01）I;C01B32/05（2017.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/587（2010.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 丁瑜;蔡明柱;王锋;余佳阁;杨宇航 | 申请（专利权）人 | 湖北工程学院 |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 432000湖北省孝感市交通大道272号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氢化物原位合成硅/碳纳米复合材料的制备方法及其应用，属于锂离子电池电极材料领域，制备方法如下：S1.在保护气体氛围下，将碳酸盐、纳米二氧化硅、二茂铁和金属氢化物混合，球磨后加入氯化铝，得到前驱体；碳酸盐、纳米二氧化硅、二茂铁和金属氢化物的质量比为1:（2.5～20）:（3～5）:（3～30），氯化铝与纳米二氧化硅的质量比为（5～15）:1；S2.在保护气体氛围下，将步骤S1所得的前驱体进行焙烧，再冷却至室温，经过酸洗、干燥后得到硅/碳纳米复合材料。本发明的制备方法反应温度低，硅的产率高；且通过一步煅烧制得硅/碳纳米复合材料，工艺简单。制备的硅/碳纳米复合材料形貌均匀，硅在碳材料中分布均匀，可以有效缓冲硅的体积效应。 |
