一种等离子体刻蚀残留物清洗液
基本信息
| 申请号 | CN201911407714.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130292A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130292A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;C09K13/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖林成;刘兵;彭洪修;张维棚;赵鹏 | 申请（专利权）人 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京大成律师事务所 | 代理人 | 李佳铭;王芳 |
| 地址 | 201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6－9幢底层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体刻蚀残留物清洗液，包括氧化剂、pH调节剂、稳定剂、有机酸铵盐、金属缓蚀剂、以及水。本发明提供了一种等离子体刻蚀残留物清洗液，可有效去除晶圆清洗过程中的等离子体刻蚀残留物，并且，在金属孔道中的残留物少；对氮化钛的刻蚀具有高选择性，能够高效去除氮化钛硬掩模；并且在高转速单片机清洗中对金属材料和非金属材料以及Low‑k介质材料均有较小的腐蚀速率；操作窗口较大；本申请的清洗液中不含氟，即使是小于14nm的晶圆也不会影响其电性能。 |
