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使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法

基本信息

申请号 CN202010372353.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111522208A 公开（公告）日 2020-08-11
申请公布号 CN111522208A 申请公布日 2020-08-11
分类号 G03F7/42(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 -
发明人 王勇;谢自力;潘巍巍;黄愉;彭伟 申请（专利权）人 南京南大光电工程研究院有限公司
代理机构 江苏斐多律师事务所 代理人 南京南大光电工程研究院有限公司
地址 210046江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。本发明采用传统正胶，在光刻机中使用正胶正常曝光的能量和曝光时间进行整面泛曝光，再进行镀膜。正胶经过泛曝光之后，光刻胶交联被改变，粘附性降低，分子间发生断链反应，使胶的表面出现针孔，从而使得金属薄膜与正胶的表面黏附性变差，用蓝膜可以直接撕掉底部有胶的金属层，克服了正胶显影后角度为直角或者接近直角金属不易抬离的缺点。