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利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga

基本信息

申请号 CN201810762804.3 申请日 -
公开（公告）号 CN108987257B 公开（公告）日 2021-03-30
申请公布号 CN108987257B 申请公布日 2021-03-30
分类号 H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 谢自力;修向前;李悦文;张荣;陈鹏;刘斌;陶涛;施毅;郑有炓 申请（专利权）人 南京南大光电工程研究院有限公司
代理机构 江苏斐多律师事务所 代理人 张佳妮
地址 210046江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法，金属Ga源置于反应器的温区I，Si衬底置于反应器的温区II，氮气氛围下温区I温度升至850‑950℃，温区II温度升至300‑1100℃；待温度稳定后，同时通入HCl和O2，开始生长Ga2O3薄膜层；生长结束后降温，取出样品。本发明方法可以在Si衬底上生长出优质的Ga2O3薄膜，控制温区II温度，即可得到不同晶型的Ga2O3。目前大多数的半导体器件都是基于Si衬底，易于实现Si上氧化镓的电子器件与现有器件的集成。