氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法

基本信息

申请号	CN202010375617.7	申请日	-
公开（公告）号	CN111430244A	公开（公告）日	2020-07-17
申请公布号	CN111430244A	申请公布日	2020-07-17
分类号	H01L21/34	分类	-
发明人	曹玉洁;陈敦军;谢自力	申请（专利权）人	南京南大光电工程研究院有限公司
代理机构	江苏斐多律师事务所	代理人	南京南大光电工程研究院有限公司
地址	210046 江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积p‑GaN层；(2)在干净、平整的玻片表面放置PDMS，在胶带的表面铺一层均匀的MoS₂片状晶体，用胶带粘有MoS₂片状晶体的一面接触PDMS并施压，使MoS₂转移到PDMS上形成MoS₂膜，揭下胶带，再将步骤(1)制得的器件的p‑GaN层表面反扣在PDMS上并施压，使MoS₂膜转移到p‑GaN层表面，制成氮化镓二硫化钼混合尺度PN结。本发明中采用的是PDMS辅助干法转移，操作简单，制作成本低廉。利用该方法制备出来的MoS₂薄膜尺寸较大，且与传统的机械剥离法相比，该方法制备的样品衬底较为干净，便于后续的器件测试。