一种去除工业硅中硼的方法
基本信息
| 申请号 | CN201010242101.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101913608B | 公开（公告）日 | 2012-07-25 |
| 申请公布号 | CN101913608B | 申请公布日 | 2012-07-25 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 谭毅;姜大川;董伟;顾正;彭旭 | 申请（专利权）人 | 大连理工大学产业投资有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 关慧贞 |
| 地址 | 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。 |
