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局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置

基本信息

申请号 CN200910220058.6 申请日 -
公开（公告）号 CN101708849B 公开（公告）日 2012-08-01
申请公布号 CN101708849B 申请公布日 2012-08-01
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 谭毅;董伟;姜大川;李国斌 申请（专利权）人 大连理工大学产业投资有限公司
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 大连理工大学;大连理工高邮研究院有限公司
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质硼去除的方法和装置。该方法用电子束对石墨坩埚中的多晶硅进行局部熔炼，将液态硅蒸发到石墨坩埚上方的沉积板上，收集沉积在沉积板上多晶硅的方法；该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶的内腔即为真空室，真空室内装有熔炼系统，熔炼系统由电子枪、石墨坩埚、水冷铜托盘组成。该方法工艺简单，能耗低，环境污染小，提纯精度高；技术稳定，有利于大规模生产。