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基于SON结构的压阻式加速度传感器的制作方法

基本信息

申请号	CN201910427434.2	申请日	-
公开（公告）号	CN110161282B	公开（公告）日	2021-03-30
申请公布号	CN110161282B	申请公布日	2021-03-30
分类号	B81C1/00(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	汪祖民	申请（专利权）人	龙微科技无锡有限公司
代理机构	无锡华源专利商标事务所（普通合伙）	代理人	聂启新
地址	214000江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园E幢E1-301室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于SON结构的压阻式加速度传感器的制作方法，属于微电子制作技术领域。该方法包括在硅衬底上淀积外延硅锗层；在硅锗层制作空腔范围图形和腐蚀阻挡沟槽；在腐蚀阻挡沟槽内形成SiO2氧化层；淀积非晶硅层得到敏感膜；在非晶硅层制作腐蚀通孔；淀积形成二氧化硅层和氮化硅层；在硅锗层形成矩形腐蚀空腔；去除非晶硅层的二氧化硅层和氮化硅层；向非晶硅层注入P+离子和P‑离子形成力敏电阻；淀积氧化硅介质层；在氧化硅介质层表面形成金属导线和金属PAD点；对应矩形腐蚀孔腔的两个长边的内侧形成敏感膜释放结构；可以明显降低压阻式加速度传感器在测量过程中的阻尼效应；达到了提高压阻式加速度传感器的测量精度的效果。