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一种图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法

基本信息

申请号 CN202110117826.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112951734A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112951734A 申请公布日 2021-06-11
分类号 H01L21/66 分类 基本电气元件;
发明人 曾广艺;张剑桥;王子荣;陆前军 申请（专利权）人 广东中图半导体科技股份有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法，LED外延片包括叠层设置的图形化衬底和外延层；该图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法包括：对外延层的表面进行宏观缺陷检测和/或微观形貌检测；逐层刻蚀剥离外延层形成多个刻蚀面，直至将外延层全部清理去除；对每个刻蚀面进行宏观缺陷检测和/或微观形貌检测，确定刻蚀面的异常情况并分析刻蚀面的异常情况与图形化衬底的关联性。本发明实施例通过逐层刻蚀分析外延层，可建立起图形化衬底与外延层异常的直观联系，有利于改善优化工艺技术，进而减少异常产品，提高产品质量。