一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110798085.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257970A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257970A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L33/22（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张剑桥;谢鹏程;米波;肖桂明;张小琼;陆前军 | 申请（专利权）人 | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种用于LED生长的图形化衬底、外延片和制备方法。该衬底包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底的一侧表面形成有多个蓝宝石图形，异质层，位于图形化蓝宝石形成有蓝宝石图形的一侧表面，蓝宝石图形被包覆于异质层的内部，且蓝宝石图形的上表面与异质层的上表面齐平。本发明通过将蓝宝石c面经过研磨和抛光处理，使得外延层的材料只在蓝宝石c面成核生长，具有良好的平整度和可控的表面粗糙度，有利于获得低缺陷的外延层，进一步降低外延层位错密度，保证外延质量；并且通过外延层、蓝宝石衬底、异质层及空气的梯度折射率差异及蓝宝石衬底中形成的凸起结构降低全反射，增加光提取率，进而提高外量子效率。 |
