一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片
基本信息
| 申请号 | CN201911296325.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112993105A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112993105A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L33/22;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 康凯;陆前军;向炯 | 申请（专利权）人 | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基底；图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。本发明实施例解决了图形化蓝宝石衬底在生长氮化镓外延层时仍存在晶格失配，外量子效率小，发光亮度低的问题，实现了增强光提取效率，改善外延生长质量的效果，有助于提高LED的外量子效率。 |
