一种等离子刻蚀装置
基本信息
| 申请号 | CN202110036756.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112863992A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112863992A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗凯;王子荣;康凯 | 申请（专利权）人 | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 胡彬 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种等离子刻蚀装置，包括工艺腔、第一基座、第二基座、两个下射频、第一托盘、第二托盘、上定位组件和下定位组件，工艺腔外套设有射频线圈；第一基座和第二基座分别设在工艺腔的顶壁和底壁；两个下射频分别连接于第一基座和第二基座；第一托盘和第二托盘均用于放置待蚀刻件；上定位组件用于将第一托盘固定于第一基座；下定位组件用于将第二托盘固定于第二基座。本发明提供的等离子刻蚀装置在不增加工艺腔体积的情况下，能够刻蚀原来两倍的晶片，极大地提高了刻蚀晶片的数量，提高效率。 |
