一种PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质
基本信息
| 申请号 | CN202010316030.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111563356B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN111563356B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | G06F30/367（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 陈彦豪;林丁丙;尤智玉 | 申请（专利权）人 | 英业达股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 中国台湾台北市士林区后港街66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种PDN阻抗平坦化仿真方法，包括：将去耦合电容模型转化为等效串联RLC电路；通过仿真分别计算不同的去耦合电容待摆放节点有无去耦合电容的IC端阻抗的变化量；将最大的IC端阻抗的变化量对应的去耦合电容待摆放节点配置为第一位置节点；再次计算其他去耦合电容待摆放节点的IC端阻抗的变化量并依次获取所有去耦合电容待摆放节点的顺序；获取目标阻抗和PDN阻抗的曲线交错点对应的电容值，在第一位置节点放置电容值邻近且大于交错点对应的电容值的去耦合电容；依次针对所有位置节点重复前一步骤以放置去耦合电容。本发明还公开了一种装置、设备和介质。本发明提供的PDN阻抗平坦化仿真方法、装置、设备和介质可以使PDN阻抗平坦化。 |
