一种单晶硅片的单面制绒工艺及太阳能电池片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010811851.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111945229B | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN111945229B | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | C30B33/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C30B31/00（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马玉超;余浩;张晓攀;单伟;何胜;徐伟智 | 申请（专利权）人 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 付丽 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A）将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B）将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。本发明以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。 |
