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一种大功率半导体模块

基本信息

申请号	CN201010529014.4	申请日	-
公开（公告）号	CN102082132B	公开（公告）日	2015-11-11
申请公布号	CN102082132B	申请公布日	2015-11-11
分类号	H01L23/31(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L25/11(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘立东	申请（专利权）人	北京航天万方科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	100070 北京市丰台区海鹰路1号院2号楼3层（园区）北京航天万方科技有限公司
法律状态	-

摘要

当今，功率半导体模块特别是具有双管结构的大功率单相半桥快恢复二极管半导体模块，被用在许多功率电子电路中，尤其是在焊机、电镀电源以及变频器等电路中。本发明提供一种功率半导体模块的结构和封装设计，它包括导热底板、螺母、外壳、半导体晶元、螺钉、应力缓冲件、金属片以及焊锡片。其中，导热底板为模块封装的基体，整个模块用焊锡片焊接在一起，用封装胶将外壳与导热底板粘结在一起，再用封装树酯将模块的内部结构封起来，导热底板上的螺钉起到将灌封树酯辅助固定在导热底板上的作用。在本发明提供的功率半导体模块中设有应力缓冲结构，导热底板上有半导体晶元定位结构和外壳定位结构，外壳上有定位结构与导热底板相应的外壳定位结构相匹配。