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一种PVT法单晶生长炉

基本信息

申请号	CN201820271266.3	申请日	-
公开（公告）号	CN207944168U	公开（公告）日	2018-10-09
申请公布号	CN207944168U	申请公布日	2018-10-09
分类号	C30B23/00;C30B29/48	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	周振翔;赵欣;何敬晖;李辉;黄存新;彭珍珍;陈建荣	申请（专利权）人	烁光特晶科技有限公司
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	北京中材人工晶体研究院有限公司
地址	100018 北京市朝阳区东坝红松园1号院
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及晶体制造技术领域，尤其涉及PVT法单晶生长炉，包括炉体和安瓿，炉体包括保温套和加热装置，安瓿伸入保温套的内侧，保温套内侧分为上温区和下温区，加热装置包括分别对应上温区和下温区设置的上加热件和下加热件，下加热件为电磁感应加热件。本实用新型分为炉体和安瓿，炉体包括外围的高铝预制保温套和控制晶体生长环境温度的加热装置，安瓿上预先放置多晶料源并将安瓿置入保温套的内侧，加热装置的下加热件为电磁感应加热件，利用磁感应效应为下温区的晶体生长提供热量，与上加热件配合调控晶体生长的纵向温度梯度，下加热件还可精确控制位于下温区中衬底处的横向温度梯度，稳定晶体生长速率，减少因温度控制不当造成的晶体缺陷。