一种深紫外高透过石英晶体制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110082024.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899778A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899778A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C30B29/18;C30B11/00;C30B11/14 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张绍锋;张璇;孙志文;姜秀丽;刘巨澜 | 申请（专利权）人 | 烁光特晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孙光远 |
| 地址 | 100018 北京市朝阳区东坝红松园1号内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种深紫外高透过石英晶体制造方法。涉及人工晶体技术领域。本发明包括以下步骤：挑选无条纹石英晶体籽晶腐蚀后，水平悬挂固定在晶体生长架上，籽晶上表面贴膜遮挡；制备高纯石英块状原料；高压釜内用节流隔板分成上下两个区域加入矿化剂密封；升温；初期结晶界面控制并重复；恒温；降温取出。本发明工艺制造的深紫外高透过石英晶体SiO2纯度达99.999％以上，内透过率T≥95％/cm@193nm，193nm光学损耗降低了2/3以上，光学均匀性≤5ppm@633nm，双折射率差均匀性≤0.2％，满足深紫外光学仪器应用需求。 |
