一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法
基本信息
| 申请号 | CN202010987011.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112176408A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112176408A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | C30B29/18(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张绍锋;张璇;孙志文;姜秀丽;刘巨澜 | 申请（专利权）人 | 烁光特晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 烁光特晶科技有限公司 |
| 地址 | 100018北京市朝阳区东坝红松园1号内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，包括：包括如下步骤：选取人造石英块状籽晶；在籽晶+x晶向开槽，将籽晶制成U型籽晶块；将优质石英原料破碎成块状，经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干，放入高压釜下部溶解区；将籽晶块腐蚀后，用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面，U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上，将晶体生长架放入高压釜内上部生长区；待U型槽内部填满，形成人造石英晶体完整外形后停止生长，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体，得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低腐蚀隧道密度人造石英晶体生长的籽晶需求，满足晶振元件微型化、高频化QMEMS制造工艺应用。 |
