一种小沟道电阻的HEMT器件
基本信息
| 申请号 | CN202123398033.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216528895U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216528895U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晋;杨淞义;高欣源;钟敏;袁松;钮应喜;赵海明;赵清;单卫平 | 申请（专利权）人 | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体领域，具体来说是一种小沟道电阻的HEMT器件，包括衬底，所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P‑GaN层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间设有基础介质层，所述基础介质层上刻蚀有多个沟槽，所述沟槽内生长有填充介质层。本实用新型公开了一种小沟道电阻的HEMT器件；本实用新型通过改变介质层的压应力方式来调节势垒层受到的应力作用，介质层起到调节沟道2DEG的作用；进而减小沟道电阻，改善频率特性。 |
