一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构
基本信息
| 申请号 | CN202123140712.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216597586U | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN216597586U | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | H01L27/06（2006.01）I;H01L27/28（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李怡均;袁松;赵海明;钮应喜;张晓洪;左万胜;钟敏;史田超 | 申请（专利权）人 | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连，本实用新型的有益效果是，本实用新型在氮化镓基功率器件上单片集成后端工艺晶体管，互连寄生效应小，提升了系统的频率特性，减小了系统的体积，降低了制备成本。 |
