一种氮化镓高迁移率晶体管器件
基本信息
| 申请号 | CN202123139797.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216528894U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216528894U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 囤冠华;赵海明;王敬;任天令;袁松;钮应喜;单卫平;赵清 | 申请（专利权）人 | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种氮化镓高迁移率晶体管器件，包括衬层、晶体管层、帽层和插层，所述插层为六方氮化硼插层，六方氮化硼插层设置在衬层上，晶体管层设置在六方氮化硼插层上，帽层设置在晶体管层上。衬层为金刚石衬底，在金刚石衬底上通过液相转移二维六方氮化硼材料形成六方氮化硼插层；优选的插层中六方氮化硼的层数为1‑5层。氮化镓高迁移率晶体管器件底部采用六方氮化硼配合金刚石作为衬底，同样有利于热的传递，降低器件工作时发热温度。 |
