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一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置

基本信息

申请号	CN202123139800.6	申请日	-
公开（公告）号	CN216838279U	公开（公告）日	2022-06-28
申请公布号	CN216838279U	申请公布日	2022-06-28
分类号	C30B29/40（2006.01）I;C30B30/02（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	囤冠华;赵海明;王敬;任天令;袁松;钮应喜;单卫平;赵清	申请（专利权）人	安徽长飞先进半导体有限公司
代理机构	芜湖安汇知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置，包括密闭腔体、用于盛放镓的容器、加热机构和等离子发生器，容器放置在密闭腔体中，镓放置在容器中，加热机构位于容器的底部和顶部使镓处于熔融状态，等离子发生器位于密闭腔体的外部，等离子发生器与密闭腔体连通。密闭腔体的一侧设有与等离子发生器连通的等离子体入口，另一侧设有等离子体出口，氮放置在等离子发生器中产生氮基等离子体，氮基等离子体通过等离子体入口进入到密闭腔体中。本实用新型采用气液结合的生长方式生长氮化镓单晶，采用等离子体的形式提供高反应活性的氮源，由熔融方式得到液态镓源，克服了液相生长需要跨越的高的氮气活化势垒，以及气相生长在远离准平衡态生长的缺点。