一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构
基本信息
| 申请号 | CN202123139754.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216698374U | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN216698374U | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鄢诏译;袁松;赵海明;钮应喜;钟敏;史田超;左万胜;张晓洪 | 申请（专利权）人 | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构，本实用新型的有益效果是，本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷，可抑制C‑GaN HEMT器件的电流崩塌效应，同时保证了晶体管结构整体的性能。 |
