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晶体横向生长设备及晶体横向生长方法

基本信息

申请号 CN201910003186.9 申请日 -
公开（公告）号 CN109487330A 公开（公告）日 2019-03-19
申请公布号 CN109487330A 申请公布日 2019-03-19
分类号 C30B11/02（2006.01）I; C30B29/16（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 杨建春 申请（专利权）人 无锡翌波晶体材料有限公司
代理机构 苏州广正知识产权代理有限公司 代理人 无锡翌波晶体材料有限公司
地址 214000 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法，该晶体横向生长设备包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，炉体内设置有第一保温层和第二保温层，导车置于第一保温层和第二保温层之间，第一保温层和第二保温层上均设置有高温区，高温区的中心均设置有发热体，坩埚装于导车中。该晶体横向生长方法包括以下步骤：将生长晶体所需的原料混合后填入坩埚中，然后将坩埚放入导车中，由导车将坩埚由低温区移入高温区；原料融化变成液体，达到最大的液化状态，再慢慢移出高温区，液体慢慢按所需的晶格进行排列组合固化，生成晶体。本发明解决了晶体生长中底部压力过大，坩埚难以承受从而导致坩埚变形漏液的情况。