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一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件

基本信息

申请号	CN202021102973.3	申请日	-
公开（公告）号	CN211907427U	公开（公告）日	2020-11-10
申请公布号	CN211907427U	申请公布日	2020-11-10
分类号	H01L23/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I	分类	-
发明人	高嘉鹏	申请（专利权）人	固安京仪椿树整流器有限公司
代理机构	北京专赢专利代理有限公司	代理人	于刚
地址	065500河北省廊坊市固安县东位村固涿路北侧
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体、连接块和支脚，所述连接块与支脚之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽、连接杆、移动杆、移动块、弹簧、第一滑槽、转动杆和第二滑槽，所述连接块内部开设有支脚配合的放置槽。该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件即可通过连接杆使得支脚可以在连接块上转动，从而使得支脚的角度可以调节安装时再将连接块与支脚焊接即可，解决了现有的MOSFET原件安装时支脚的角度无法调节的问题，避免因多次拨动导致支脚折断，提高了MOSFET原件的实用性，解决了现有的MOSFET原件在安装时焊接处容易相连的问题，提高了MOSFET原件安装时的便捷性，降低了操作人员的工作难度。