半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810531388.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108767009B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN108767009B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴俊峰;邓光敏;吴星星 | 申请（专利权）人 | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓超 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。通过在构成栅源电容的两个极板之间引入具有更高介电常数的第二介质层，增大了该半导体器件的栅源电容，解决了该半导体器件的漏源电容和与该半导体器件级联的其它半导体器件的漏源电容相互失配的问题，不需要在半导体器件的源极和漏极之间并联外接电容，能够降低电路的复杂度和半导体器件的体积，且能够提高半导体器件的可靠性，通过在构成栅源电容的两个场板之间引入高介电常数材料，可以提高器件的耐静电能力。 |
