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一种半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201910785244.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112420850A 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN112420850A 申请公布日 2021-02-26
分类号 H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 裴晓延 申请（专利权）人 苏州捷芯威半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件依次包括衬底；多层半导体层和P型外延层，还包括位于P型外延层远离多层半导体层一侧的阳极以及位于多层半导体层远离衬底一侧的阴极，阳极在衬底上的垂直投影与P型外延层在衬底上的垂直投影至少部分交叠。采用上述技术方案，通过在半导体器件中增设P型外延层，通过P性外延层通过抬高能带、耗尽阳极下方的二维电子气，从而降低半导体器件的器件漏电；另一方面，本发明中的半导体器件无需对多层半导体层进行刻蚀形成阳极凹槽，不存在刻蚀损伤，避免了传统阳极凹槽结构的界面态；并且P型外延层相比阳极凹槽刻蚀工艺均匀性更好，能提高器件正向开启电压的一致性。