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一种半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010265132.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113497137A 公开（公告）日 2021-10-12
申请公布号 CN113497137A 申请公布日 2021-10-12
分类号 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 邓光敏 申请（专利权）人 苏州捷芯威半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层远离衬底一侧的帽层结构，帽层结构消耗位于其下方的二维电子气；位于帽层结构远离多层半导体层一侧的栅极，位于多层半导体层远离衬底一侧的源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括第一栅极分部和第二栅极分部，第一栅极分部与帽层结构形成欧姆接触，第二栅极分部与帽层结构形成肖特基接触，且至少部分第二栅极分部位于第一栅极分部靠近漏极的一侧。通过设置栅极分别与帽层结构分别形成欧姆接触和肖特基接触，保证可以降低半导体器件的栅漏电，同时提高半导体器件的阈值电压稳定性。