半导体电阻及磁场感测系统
基本信息
| 申请号 | CN202111406381.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068814A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068814A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L49/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;G01R33/00（2006.01）I;G01R33/09（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁辅德;秦文辉 | 申请（专利权）人 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杜尚蕊 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-5F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体电阻及磁场感测系统，所述半导体电阻应用于磁场感测系统中，包括电阻基板、电阻反应层、主电极、至少两个子电极和至少三个电阻掺杂区；所述电阻反应层设置于所述电阻基板内靠近第一表面一侧，所述主电极和所述子电极设置于所述第一表面上背离所述电阻反应层一侧，所述电阻掺杂区分别设置于所述电阻反应层中靠近所述主电极和所述子电极处；所述至少两个子电极配置为，设置于所述第一表面上相对所述主电极的不同位置处，且分别与所述电阻掺杂区、所述电阻反应层和所述主电极形成互成角度设置的至少两个子电阻。本发明提供的半导体电阻，能够保证补偿效果的前提下，减小参考电阻体积、简化电路结构并减少成本。 |
